A Intel anunciou que está se juntando à Toshiba no desenvolvimento da tecnologia PLC para memória NAND Flash, usada em unidades de estado sólido (SSD). A PLC, ou Penta-Level Cell, permite armazenar 5 bits por célula de memória, contra 3 bits por célula da tecnologia TLC usada na maioria das unidades comerciais. Isso levará a um aumento da capacidade dos chips e, eventualmente, redução dos preços.
Infelizmente, quanto mais bits podem ser armazenados por célula, menor a velocidade de escrita dos dados. Segundo o site Ars Technica uma unidade SSD da Samsung com tecnologia SLC (Single Layer Cell, 1 bit por célula) tem velocidade de escrita de até 530 MB/s. Uma unidade TLC (Triple Layer Cell, 3 bits por célula) chega a 300 MB/s, enquanto uma unidade QLC (Quad Layer Cell, 4 bits por célula) chega a apenas 80 MB/s, mais de seis vezes mais lenta.
Uma forma de contornar isso é usar um pequeno “cache” SLC na unidade, para onde os dados podem ser escritos rapidamente antes de serem transferidos para os outros chips. Mas SLC é o tipo de memória flash mais caro do mercado, o que limita o tamanho do cache. Isso significa que na transferência de arquivos muito grandes, maiores que o cache, o desempenho pode cair drasticamente.
Ainda não há informações sobre quando as primeiras unidades SSD com a tecnologia PLC poderão chegar ao mercado.
Fonte: Ars Technica
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